키워드 검색 | 수행평가-합격예측은 진학사!

메뉴 바로가기 본문 바로가기

Short channel effect에 의한 누설전류와 채널 길이의 관계식 추정

자료 유형: 실제 탐구보고서
합격 정보: 고려대(서울) 전기전자공학부
활동 유형: 세부능력 및 특기사항
교과 과목: 물리학Ⅱ, 수학과제탐구, 과학과제연구
탐구 방법: 수학X코딩, 수학 기반의 과학 탐구, 과학X코딩

2025.02.25 등록

클립하기

알림 설정 완료

클립 완료

주소가 복사되었습니다.

내용 요약

반도체의 성능 향상에 방해가 되는 요인을 찾아보다 short channel effect에 대해 알게 되었고 이 효과가 반도체 발전함에 따라 얼마나 영향력이 커지는지 대략적으로 수치화해보고자 함
Short channel effect(SCE)에 대해 개념적으로 이해할 수 있는 쉬운 자료들을 찾아보고 앞서 알아본 양자터널현상이 SCE중 하나인 GIDL임을 알게 되고, 그 외에 다른 SCE인 punch through 현상(전원을 껐는데도 전류가 누설되어 완전히 꺼지지 않는 현상)에 대해 탐구하기로 결정함
MOSFET(일종의 트랜지스터) 채널 길이에 따른 누설전류 그래프를 검색하여 찾고 값 두개를 대입해 지수함수와 로그로 그래프 식 추정
MOSFET 채널 길이가 각각 1nm, 1μm일 때의 도함수 값을 비교하여 과거와 현재의 SCE 영향력을 비교함
후속 연구로 이번에 추정해낸 SCE에 의한 누설전류와 채널 길이 관계식을 이용하여 SCE에 대한 해결책 중 하나인 LDD에 대한 문항을 제작함

탐구 보고서 전문

멘토의 다른 탐구 활동

이용재 멘토과외신청가능

고려대(서울) 전기전자공학부
진심 서포터즈 인증 멘토

트랜지스터 제작을 위한 LDD 도핑 농도 상대량 계산 문항 제작

실제 탐구보고서

물리학Ⅱ, 화학Ⅱ, 수학과제탐구

자율활동

반도체 집적도 향상의 장애물과 발전 방향 탐구

실제 탐구보고서

물리학Ⅱ, 과학과제연구, 기하

자율활동

꼭 알아주세요

저작권 유의사항

본 자료와 관련된 모든 저작권은 (주)진학사에 있으며, 저작권법 제4장 및 제5장의 규정에 따라 일부 또는 전체를 복제, 배포, 업로드하거나 이를 바탕으로 한 2차 저작물을 제작하는 행위를 금합니다.
저작권침해 등 분쟁 요소 발견 시 저작권신고센터를 이용해 주시기 바랍니다.

보고서 안내 사항

제공되는 탐구 보고서는 학생부종합전형으로 합격한 선배들의 실제 탐구 자료입니다. 이미 대학 입학사정관의 평가를 받은 자료이기에,이를 그대로 따라하기보다는 참고 자료로 활용하여 여러분만의 독창적인 탐구 보고서를 작성해 주시기 바랍니다.
선배들의 탐구 과정과 방법론을 참고하되, 여러분의 관심사와 관점을 반영한 차별화된 탐구를 진행하시길 권합니다.

이미 스크랩되었습니다.
목록에서 확인하시겠습니까?

목록보기

주제 저장소에 저장되었습니다.

편집하기